半導体ウエハやBGA，CSPなどのパッケージ基板上に形成されたバンプの
高さ、径およびコプラナリティを高速かつ高精度に測定します。
独自に改良を重ねた光学系とデータ処理方法(Time Delay Scanning)の採用
により、これまでの光切断方式にない高精度測定が可能となりました。
・バンプ高さ、コプラナリティの高精度測定3σ≦1.0μmを実現しました。
・1サンプルあたりの検査時間は2秒以下。独自の処理アルゴリズムと専用処理装置により、
数万個にわたる高密度バンプに対してもタクト内で処理が可能です。
・最小φ30μmのラウンドバンプまで測定可能です。
| 基板サイズ | ウエハ ： 2inch～12inch 基板 ： 20mm×20mm ～ |
| 検査分解能 | 高さ検査計測用（標準） ： 水平分解能(X,Y) = 5.8μm，Z = 約0.1μm |
| 測定精度 | 高さ・コプラナリティ ： 3σ≦1.0μm |
| 測定範囲 | Z=150μm （変更可能） |
| 検査タクト | ～10wafer/h （12inchウエハ） |
| 処理方法 | 光切断法＋TDS(Time Delay Scanning)方式 |
| 対象バンプ | 最小バンプ径 ： φ30μm／φ60μm ～(※基材やバンプ形状によります) 最小バンプピッチ ： 約60μm／100μm～ |
| 検査項目 | 高さ、コプラナリティ、基板反り （オプション）バンプ径、バンプ面積、バンプ体積、バンプ欠損・ブリッジ |
BGA/CSPなどパッケージ基板上の半田バンプ，半導体ウエハ上のAuバンプ
