UVレーザ装置
CHARIS DUV
レーザマーキングユニット
「LMU-4000」Deep UV Laser Marking Unit
特長

透明材料にマーキング可能※特にSiC・GaN・PIなどに最適
線幅(ドット径)最小10umの微細なマーキングが可能
熱影響と発塵が少ない高品質な仕上がり
新機能
電動結晶シフター結晶シフトの完全自動化
光アッテネータ SHG出力可変不要による
FHG出力安定性向上
内蔵パワーメータによるパワーモニタリング
仕様


アプリケーション例
- ウェーハのIDマーキング
- GaNウェーハの微小ドットマーキング
- Siウェーハ 100ミクロン微細マーキング