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UVレーザ装置

CHARIS DUV
レーザマーキングユニット
「LMU-4000」Deep UV Laser Marking Unit

特長

深紫外レーザウェーハマーカ

透明材料にマーキング可能※特にSiC・GaN・PIなどに最適

線幅(ドット径)最小10umの微細なマーキングが可能

熱影響と発塵が少ない高品質な仕上がり

新機能

電動結晶シフター結晶シフトの完全自動化

光アッテネータ SHG出力可変不要による
FHG出力安定性向上

内蔵パワーメータによるパワーモニタリング

仕様

仕様
システム図

アプリケーション例

ウェーハのIDマーキング
ウェーハのIDマーキング
GaNウェーハの微小ドットマーキング
GaNウェーハの微小ドットマーキング
Siウェーハ 100ミクロン微細マーキング
Siウェーハ 100ミクロン微細マーキング