TSV・トレンチ高速深さ測定

2.5D、3Dの積層構造に不可欠なTSVや、パワー半導体のトレンチの深さなどを非破壊、高速で測定します。

特徴

• 1ポイント約1秒の高速測定が可能
• 深さ測定は、アスペクト比1：10~1:30まで可能（径によって変動）
• Φ1µmから計測可能（形状による）
• SIC/GaN　透明デバイスの計測が可能

検査対象・用途・オプション

• トレンチ深さとワーページを同一ヘッドで測定可能
• TSV直径の測定オプションも可能
• マニュアル機、FOUP対応機も可能
• 用途:パワー半導体トレンチ、素子分離用トレンチ、TSV